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肖特基二極管

不是所有的二極管都叫肖特基,
也不是所有的肖特基都是ASEMI
低功耗 | 大電流 | 超高速

正向電壓降小,無存儲電荷

適合:低壓高頻整流

擊穿隔離,漏電消失

硅接觸勢壘工藝

一般采用金屬—半導體接觸來形成肖特基勢壘,但是由于金屬與半導體接觸時,接觸界面之間SiO2層的存在,使得接觸電阻和表面態密度明顯增大,致使器件的性能大大降低

我們采用了擴散勢壘和多層金屬化技術,為了提高反向性能,采用了保護環結構等新工藝技術

寬“S”形彎曲觸須
壓力接觸的鍍金上引線

? 為減小封裝串聯電阻,降低正向壓降,盡量加大了引線與芯片的接觸面積

? 軸向引線,殼體透明,體積小、重量輕、可靠性高

? 符合GB7581《半導體分立器件外形尺寸》的標準要求

濺射和退火
關鍵工藝解決方案

達到最佳勢壘金屬厚度和形成最佳表面,使管芯獲得最好的電參數性能及較高的成品率

封裝前對芯片進行100%的鏡檢,剔除有缺陷的芯片

品牌旗下肖特基二極管成員
8
8大系列產品

適用廣泛

10
10大封裝工藝

品質保障

78
20道工藝流程

精益求精

198
198種規格型號

供您挑選

20
Process flows

道工藝流程

1.投片打標

2.清洗氧化

3.OAP以及勻膠

4.光刻曝光,顯影,后拱

5.堅膜,腐蝕

6.堅膜,注入

7.去膠

8.B推結,氧化形成P+隔離

9.光刻,刻引線孔

10.清洗P-注入前氧化

11.P-注入提高電壓
降低漏電流

12.漂酸去掉引線孔氧化層

13.清洗蒸CR

14.合金形成合金勢壘

15.扒CR

16.清洗蒸發,蒸發鋁

17.反刻鋁

18.背面減薄

19.清洗漂酸背面金屬化

20.成型測試

肖特基勢壘的
反向抗燒毀能力

? 高溫下檢查反向漏電特性,并對樣品進行破壞性物理實驗

? 硬擊穿特性曲線,常溫漏電流極小,為0.2—0.3mA

? 200mA擊穿電流下,特性曲線穩定,不出現漏電流變大,
曲線變軟以及蠕變溝道、鼓泡、穿通等失效模式

肖特基二極管5大特點
正向壓

降低

擊穿特性

穩定

漏電

反向恢復

時間短

能承受大的

浪涌電流

選擇 品牌
請認準包裝

? 印刷精美,包裝嚴實

? 紙板厚實,更好地保護產品

? ASEMI標志,品質保障

肖特基二極管廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路,作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用,或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。歡迎咨詢 取樣測試。

取樣測試,選型咨詢
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