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ASEMI低壓降二極管工藝技術的更新換代!

返回列表來源:ASEMI 作者: 發布日期:2016.12.21 瀏覽:-
摘要:低壓降肖特基二極管,ASEMI品牌專業團隊為您研發Low VF SKY(低壓降肖特基)性能穩定

更新換代的

ASEMI低壓降二極管

          新型工藝技術分解

低壓降肖特基二極管工藝技術是怎么樣的呢?看看ASEMI工程為您解讀新型工藝的分解

ASEMI低壓降的更新換代

如今隨著低壓降肖特基二極管逐漸面世,SBT20100VF為何一出市就遭到瘋搶?SBT20100VF和SBT20100UF又有何區別呢?

每一代的低壓降肖特基二極管采用著不同LOW VF肖特基芯片制造和成品封裝工藝,那么產品更新換代中又有著哪些同工異曲呢?ASEMI工程師為您分析。


低壓降年度爆款


SBT20100VF和SBT20100UF此類20A,100V低正向肖特基產品是2016年市場熱點產品,定額電流下,正向壓降比常規肖特基低近30%。采用先進的溝槽制造工藝,可提高2%以上的滿載效率.ASEMI品牌低壓降肖特基的SBT20100VF和SBT20100UF,兩者都是采用TRENCH先進工藝,同是三只腳共陰結構。

SBT20100VF的V代表V版LOW VF(100V V版VF=0.63v),而SBT20100UF的是代表

ULTRA LOW VF(100V U版VF=0.58v)。我們也可以從表圖看出SBT20100VF和

SBT20100UF之間差異主要在于VF值。



歷經三代更替


首先,我們ASEMI品牌的低壓降肖特基二極管,歷經五年開發,目前已擁有三代LOW VF SKY。該產品主要專注于對電源轉換效率,而達到超低VF值特性和快速開關特性,能助您電源產品提升電源開關效率及節能的要求,ASEMI對低壓降肖特基二極管每一代都有著新突破的技術更新。



平面工藝分解(第二代)



ASEMI低壓降肖特基第二代,采用平面MOS工藝,將MOSFET制造工藝融入于肖特基芯片制程中,增加芯片晶胞結構的密度,從而克服傳統肖特基在VF和IR在參數上的平衡問題,即保持了傳統肖特基的優點,又解決了傳統肖特基在漏電設計上做遇到的屏障。ASEMI品牌五年來對該技術專研,如今又有著何“芯”突破呢?


強元芯電子

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END


本文標簽:ASEMI 低壓降工藝技術 SBT20100VF SBT20100UF 上一篇:ASEMI快恢復都有哪些型號?它和普通二極管的區別在哪里? 下一篇:ASEMI命名規則之低壓降二極管第二代/三代型號
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